中国の SiC 支配と 8 インチ移行、800V AI データセンター需要

DigiTimes は 6 月 4 日、業界が 8 インチ基板へ移行する中で中国が SiC サプライチェーンの主導権を固めつつあると独自報道した。上流の基板価格は 1 枚 500 ドル前後まで下落する一方、車載 SiC MOSFET の逼迫は続き、800V HVDC の AI データセンターが第二の需要軸として立ち上がっている。この「ねじれ相場」を調達視点で整理する。

まず事実から

DigiTimes が 6 月 4 日に独自記事を出した。業界全体が 6 インチから 8 インチ基板へ移行するタイミングで、中国メーカーが SiC（炭化ケイ素）サプライチェーンの主導権を握りつつある、という内容だ。背景にあるのは Computex 2026。今年の主役は AI データセンターのインフラであり、高電圧・大電流に強い SiC は 800V 高電圧直流（HVDC）給電アーキテクチャに不可欠な材料として、改めて表舞台に立った。

現状を一行でまとめると——上流はデフレ、下流の重要品目は依然タイト、そこに新しい需要の柱が立ち上がった。

上流：基板の価格競争は底が抜けた

中国メーカーの 6 インチ SiC 基板は、安いものでおよそ 1 枚 500 ドルまで下がっている。2 年ほど前、Wolfspeed の同等品は約 1,500 ドルだった。
TrendForce は 2024 年時点で SiC 価格の年率 3 割近い下落を報告しており、その後も下落基調は続いている。
SICC（山東天岳）、TanKeBlue（天科合達）など中国基板勢は、6 インチで価格競争を仕掛けながら 8 インチ産能を拡張中。12 インチのサンプルまで既に披露している。
補助金と国内の過当競争の結果、世界の基板新規産能の大半は中国側にある。Wolfspeed が 2025 年の Chapter 11 を経て再建した今、欧米の基板陣営はむしろ集約方向だ。

下流：デバイスは別の世界

基板が安くなってもデバイスが安くなるわけではない。ここを取り違えるユーザーが多い。

トラクションインバータや OBC 向けの車載 SiC MOSFET は構造的な逼迫が継続。onsemi の SiC MOSFET / ダイオードは 2026 年も供給制約品目として名指しされている。
欧米 IDM のパワー製品はいまだ値上げ局面。この夏には第二弾の価格改定が発効し、パワーディスクリートはその中心にいる。
認証の壁も現実だ。500 ドルの基板を AEC-Q101 取得済みデバイスに変えるには、ライン認定・歩留まり改善・12 か月超のリードタイムが必要で、近道はない。

新変数：800V HVDC の AI データセンター

今回の相場で最も注視すべき増分はここだ。

NVIDIA 主導の 800V HVDC アーキテクチャにより、AI ラックの電力は数十 kW から MW 級へ。整流・DC-DC 段での SiC 搭載量は確実に増える。
SiC 需要は「EV 一本足」から「EV + AI データセンター」の二本柱へ。EV の成長鈍化で空いた穴を、データセンター投資が埋めにきている。
Computex 2026 で SiC が再びスポットライトを浴びたのは、需要構造が本当に変わったからだ。

調達側の打ち手

車載 SiC MOSFET の値下がりに賭けない。 主機・OBC 向けは下期分の枠を確保しておく。メーカーはまだ値上げサイクルの中にいる。
産業・太陽光・蓄電など認証要件が緩い用途は待てる。 基板デフレの恩恵は、二線級ブランドや中国系デバイスの見積りに先に表れる。下期はそこが面白くなる。
中国ブランドの認定評価は今から始める。ただし速度を過信しない。 BYD Semiconductor、StarPower、Basic Semiconductor の価格攻勢は強烈だが、認定には 12〜18 か月かかる。その間の在庫リスクは自分持ちだ。
地政学リスクは常に頭に置く。 ガリウム・ゲルマニウムの輸出管理という前例がある。SiC 基板産能の中国集中は新たな単一障害点であり、欧米顧客は既に non-China BOM の選択肢を聞き始めている。仲介業にとってこれはリスクではなく商機だ。

結びの洞察

今回の SiC 相場の本質は、「上流デフレ」「下流の分化」「需要の乗り換え」という三つの現象の重なりにある。基板の価格競争は 2 年後に誰が生き残るかを決め、デバイスの逼迫は今年下期に誰が価格決定権を持つかを決める。トレーダーの利幅は平均価格の中にはない。車載はタイト、産業は緩み、中国代替は加速し、欧米はデリスキングに動く——この構造的なズレの一つひとつが商売の入口になる。